VDV10N037LSA

100U, Single N MOSFET, RDS(ON) 3

制造商: VIITOR SEMICONDUCTOR CO., LTD 产品分类: 单管场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管 数量: 1800 RoHS 状态: 支持

基础信息

零件编号:
VDV10N037LSA
封装:
-
包装:
Tape & Reel (TR)
描述:
100U, Single N MOSFET, RDS(ON) 3

产品参数

零件状态 Active
安装类型 Surface Mount
场效应晶体管类型 N-Channel
技术 MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压 (Vdss) 100 V
最大栅源电压 ±20V
工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
等级 Automotive
认证 AEC-Q101
封装 / 外壳 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 4.5V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流 3V @ 250µA
供应商器件封装 TO-252
连续漏极电流 (Id) @ 25°C 202A (Tc)
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 96 nC @ 10 V
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压 3.7mOhm @ 20A, 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 4748 pF @ 50 V
最大功耗 333W