WNM2021

20V 2.3A [email protected],1A 0.2W 1.2V 1

基础信息

零件编号:
WNM2021
封装:
-
包装:
Cut Tape (CT)
描述:
20V 2.3A [email protected],1A 0.2W 1.2V 1

产品参数

零件状态 Active
安装类型 Surface Mount
场效应晶体管类型 N-Channel
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管特性 -
等级 -
认证 -
工作温度 150°C (TJ)
最大栅源电压 ±10V
漏极至源极电压 (Vdss) 20 V
最大功耗 200mW (Ta)
封装 / 外壳 SC-70, SOT-323
供应商器件封装 SOT-323
连续漏极电流 (Id) @ 25°C 2.3A (Ta)
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 2.5V, 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 300 pF @ 10 V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流 1.2V @ 50µA
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压 58mOhm @ 2A, 4.5V