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单管IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够承受大电流并具备快速开关特性。其主要参数包括类型、集电极—发射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(on)、开关损耗以及栅极电荷等。

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