A2T21H450W19SR6

RF MOSFET LDMOS 30V NI1230

制造商: NXP Semiconductors 产品分类: 射频场效应晶体管,金属氧化物半导体场效应晶体管 数量: 1877 RoHS 状态: 支持

基础信息

零件编号:
A2T21H450W19SR6
封装:
-
包装:
Bulk
描述:
RF MOSFET LDMOS 30V NI1230

产品参数

零件状态 Obsolete
安装类型 Chassis Mount
噪声系数 -
技术 LDMOS
额定电压 65 V
电流 - 测试 800 mA
增益 15.7dB
额定电流(安培) 10µA
电压 - 测试 30 V
功率 - 输出 89W
封装 / 外壳 NI-1230S-4S4S
供应商器件封装 NI-1230S-4S4S
频率 2.11GHz ~ 2.2GHz