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射频晶体管、场效应晶体管（FET）及金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）均属于具有三个端子的半导体器件，其导通电流由电场控制。该系列器件专为射频应用设备而设计。用于信号或功率放大与开关的晶体管类型包括：E‑pHEMT、LDMOS、MESFET、N沟道、P沟道、pHEMT、碳化硅基、2个N沟道以及4个N沟道等。
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