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场效应晶体管（FET）是一种利用电场控制电流流动的电子器件。向栅极施加电压即可改变漏极与源极之间的导电特性。由于其工作原理仅涉及单一载流子类型，FET亦称作单极性晶体管，即在工作过程中仅以电子或空穴作为载流子，而不会同时使用两者。通常情况下，场效应晶体管在低频段具有极高的输入阻抗。
单管场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管
射频场效应晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管
场效应晶体管，MOSFET 阵列
M2P45M12W2-1LA
M2P45M12W2-1LA
M2TP80M12W2-2LA
M2TP80M12W2-2LA
BSS8402DW
BSS8402DW
SL3134KDW
SL3134KDW
SL3139KDW
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NXVF6532M3TG01
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FS17MR12W2M1HB11ABPSA2
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MSIE40N90-6
MSIE40N90-6
MSIE40N150-6
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FF06MR12A04MA2AKSA1
FF06MR12A04MA2AKSA1
GCMX080A120B2T1P
GCMX080A120B2T1P
GCMX040A120B2T1P
GCMX040A120B2T1P

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