NXVF6532M3TG01
SIC POWER MOSFET MODULE 650V, 32
基础信息
- 零件编号：
- NXVF6532M3TG01
- 封装：
- -
- 包装：
- Tube
- 描述：
- SIC POWER MOSFET MODULE 650V, 32
产品参数
| 安装类型 | Through Hole |
|---|---|
| 零件状态 | Active |
| 场效应晶体管特性 | - |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 等级 | - |
| 认证 | - |
| 连续漏极电流 (Id) @ 25°C | 31A (Tc) |
| 配置 | 4 N-Channel (Full Bridge) |
| 技术 | Silicon Carbide (SiC) |
| 漏极至源极电压 (Vdss) | 650V |
| 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 | 44mOhm @ 15A, 18V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 | 4V @ 7.5mA |
| 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs | 58nC @ 18V |
| 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds | 1215pF @ 400V |
| 最大功率 | 65.2W (Tj) |
| 封装 / 外壳 | 13-SSIP Exposed Pad, Formed Leads |
| 供应商器件封装 | APM16 |