FS17MR12W2M1HB11ABPSA2

FS17MR12W2M1HB11ABPSA2

制造商: Infineon Technologies 产品分类: 场效应晶体管,MOSFET 阵列 数量: 1600 RoHS 状态: 支持

基础信息

零件编号:
FS17MR12W2M1HB11ABPSA2
封装:
-
包装:
Tray
描述:
FS17MR12W2M1HB11ABPSA2

产品参数

零件状态 Active
安装类型 Chassis Mount
供应商器件封装 -
场效应晶体管特性 -
等级 -
认证 -
封装 / 外壳 Module
工作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
最大功率 -
技术 Silicon Carbide (SiC)
漏极至源极电压 (Vdss) 1200V (1.2kV)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C 40A (Tj)
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压 16.2mOhm @ 50A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流 5.15V @ 20mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 149nC @ 18V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 4400pF @ 800V
配置 6 N-Channel (Three Phase Inverter)