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场效应晶体管（FET）是一种利用电场控制电流流动的电子器件。向栅极施加电压即可改变漏极与源极之间的导电特性。由于其工作原理仅涉及单一载流子类型，FET亦称作单极性晶体管，即在工作过程中仅以电子或空穴作为载流子，而不会同时使用两者。通常情况下，场效应晶体管在低频段具有极高的输入阻抗。
单管场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管
射频场效应晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管
场效应晶体管，MOSFET 阵列
AM4562C
AM4562C
NVMFD040N10MCLT1G
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NVMFWD010N10MCLT1G
NVMFWD010N10MCLT1G
NVMFWD020N10MCLT1G
NVMFWD020N10MCLT1G
NVMFD020N10MCLT1G
NVMFD020N10MCLT1G
NVMFWD040N10MCLT1G
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NVMFD010N10MCLT1G
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PJT7801-AU_R1_007A1
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AOGT68801
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AM7500C
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AM7531C
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AM7540C
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