A3G26H350W17SR3

RF MOSFET GAN 48V NI780

制造商: NXP USA Inc. 产品分类: 射频场效应晶体管,金属氧化物半导体场效应晶体管 数量: 1600 RoHS 状态: 支持

基础信息

零件编号:
A3G26H350W17SR3
封装:
-
包装:
Tape & Reel (TR)
描述:
RF MOSFET GAN 48V NI780

产品参数

零件状态 Obsolete
额定电流(安培) -
配置 -
噪声系数 -
额定电压 125 V
电流 - 测试 250 mA
增益 13.3dB
电压 - 测试 48 V
功率 - 输出 59W
技术 GaN
频率 2.496GHz ~ 2.69GHz
封装 / 外壳 NI-780S-4S2S
供应商器件封装 NI-780S-4S2S