A5G21H605W19NR3

RF MOSFET LDMOS 30V ACP1230S-4

制造商: NXP USA Inc. 产品分类: 射频场效应晶体管,金属氧化物半导体场效应晶体管 数量: 1600 RoHS 状态: 支持

基础信息

零件编号:
A5G21H605W19NR3
封装:
-
包装:
Tape & Reel (TR)
描述:
RF MOSFET LDMOS 30V ACP1230S-4

产品参数

零件状态 Active
安装类型 Surface Mount
等级 -
认证 -
额定电流(安培) -
配置 -
噪声系数 -
增益 15.1dB
额定电压 125 V
电流 - 测试 300 mA
功率 - 输出 85W
电压 - 测试 48 V
技术 GaN
频率 2.11GHz ~ 2.2GHz
封装 / 外壳 OM-780-4S4S
供应商器件封装 OM-780-4S4S