A5G35H110NT4

RF MOSFET GAN 48V 6DFN

制造商: NXP USA Inc. 产品分类: 射频场效应晶体管,金属氧化物半导体场效应晶体管 数量: 1600 RoHS 状态: 支持

基础信息

零件编号:
A5G35H110NT4
封装:
-
包装:
Tape & Reel (TR)
描述:
RF MOSFET GAN 48V 6DFN

产品参数

零件状态 Active
安装类型 Surface Mount
额定电流(安培) -
配置 -
噪声系数 -
额定电压 125 V
电流 - 测试 70 mA
电压 - 测试 48 V
增益 15.3dB
频率 3.3GHz ~ 3.7GHz
技术 GaN
封装 / 外壳 6-LDFN Exposed Pad
供应商器件封装 6-PDFN (7x6.5)
功率 - 输出 15.1W