CLF1G0035-100PU

RF MOSFET GAN HEMT 50V LDMOST

制造商: NXP USA Inc. 产品分类: 射频场效应晶体管,金属氧化物半导体场效应晶体管 数量: 1625 RoHS 状态: 支持

基础信息

零件编号:
CLF1G0035-100PU
封装:
-
包装:
Bulk
描述:
RF MOSFET GAN HEMT 50V LDMOST

产品参数

零件状态 Active
安装类型 Chassis Mount
额定电流(安培) -
噪声系数 -
增益 14dB
额定电压 150 V
电压 - 测试 50 V
供应商器件封装 LDMOST
电流 - 测试 100 mA
功率 - 输出 100W
频率 3GHz
封装 / 外壳 SOT-1228A
技术 GaN HEMT