DMN2011UCA6-7

MOSFET 2N-CH 22V 9A X4-DSN1818-6

制造商: Diodes Incorporated 产品分类: 场效应晶体管,MOSFET 阵列 数量: 1600 RoHS 状态: 支持

基础信息

零件编号:
DMN2011UCA6-7
封装:
-
包装:
Tape & Reel (TR)
描述:
MOSFET 2N-CH 22V 9A X4-DSN1818-6

产品参数

零件状态 Active
安装类型 Surface Mount
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管特性 -
等级 -
认证 -
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
配置 2 N-Channel (Dual)
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 20nC @ 4.5V
封装 / 外壳 6-SMD, No Lead
连续漏极电流 (Id) @ 25°C 9A (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流 1.3V @ 1mA
最大功率 800mW
漏极至源极电压 (Vdss) 22V
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压 6.5mOhm @ 5A, 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 1580pF @ 12V
供应商器件封装 X4-DSN1818-6