DMT26M0LDG-13
MOSFET 2N-CH 25V 11.6A PWRDI3333
基础信息
- 零件编号：
- DMT26M0LDG-13
- 封装：
- -
- 包装：
- Tape & Reel (TR)
- 描述：
- MOSFET 2N-CH 25V 11.6A PWRDI3333
产品参数
| 零件状态 | Active |
|---|---|
| 安装类型 | Surface Mount |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 场效应晶体管特性 | - |
| 等级 | - |
| 认证 | - |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 漏极至源极电压 (Vdss) | 25V |
| 配置 | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| 封装 / 外壳 | 8-PowerVDFN |
| Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 | 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA |
| 连续漏极电流 (Id) @ 25°C | 11.6A (Ta), 33.8A (Tc), 20.1A (Ta), 52.6A (Tc) |
| 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 | 6mOhm @ 13A, 10V, 2mOhm @ 27A, 10V |
| 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs | 15.9nC @ 10V, 57.4nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds | 1010pF @ 13V, 4016pF @ 13V |
| 最大功率 | 1.24W (Ta) |
| 供应商器件封装 | PowerDI3333-8 (Type F) |