ECB2R8M12YM3

SIC, MODULE, 2.8M, 1200V, 152MM,

制造商: Wolfspeed, Inc. 产品分类: 场效应晶体管,MOSFET 阵列 数量: 1602 RoHS 状态: 支持

基础信息

零件编号:
ECB2R8M12YM3
封装:
-
包装:
Box
描述:
SIC, MODULE, 2.8M, 1200V, 152MM,

产品参数

零件状态 Active
安装类型 Chassis Mount
供应商器件封装 -
场效应晶体管特性 -
等级 -
认证 -
封装 / 外壳 Module
工作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
技术 Silicon Carbide (SiC)
漏极至源极电压 (Vdss) 1200V (1.2kV)
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压 3.7mOhm @ 450A, 15V
配置 6 N-Channel (Three Phase Inverter)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C 545A
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流 3.6V @ 125mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 1272nC @ 15V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 38500pF @ 800V
最大功率 1.485kW (Tj)