F410MR20W3M1HB11BPSA1

EASY STANDARD PLUS

制造商: Infineon Technologies 产品分类: 场效应晶体管,MOSFET 阵列 数量: 1603 RoHS 状态: 支持

基础信息

零件编号:
F410MR20W3M1HB11BPSA1
封装:
-
包装:
Tray
描述:
EASY STANDARD PLUS

产品参数

零件状态 Active
安装类型 Chassis Mount
供应商器件封装 -
场效应晶体管特性 -
等级 -
认证 -
封装 / 外壳 Module
最大功率 -
工作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
技术 Silicon Carbide (SiC)
配置 4 N-Channel
连续漏极电流 (Id) @ 25°C 95A (Tj)
漏极至源极电压 (Vdss) 2000V (2kV)
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压 13.3mOhm @ 120A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流 5.15V @ 68mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 470nC @ 3V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 14500pF @ 1200V