FBG04N30BSH

GAN FET HEMT 40V 30A 4FSMD-B

制造商: EPC Space, LLC 产品分类: 射频场效应晶体管,金属氧化物半导体场效应晶体管 数量: 1618 RoHS 状态: 支持

基础信息

零件编号:
FBG04N30BSH
封装:
-
包装:
Bulk
描述:
GAN FET HEMT 40V 30A 4FSMD-B

产品参数

零件状态 Active
安装类型 Surface Mount
等级 -
认证 -
额定电流(安培) -
频率 -
供应商器件封装 4-SMD
增益 -
封装 / 外壳 4-SMD, No Lead
额定电压 40 V
功率 - 输出 -
噪声系数 -
配置 N-Channel
技术 GaN HEMT
电压 - 测试 20 V
电流 - 测试 30 A