G18NP06Y

MOSFET N/P-CH 60V 18A TO252-4

制造商: Goford Semiconductor 产品分类: 场效应晶体管,MOSFET 阵列 数量: 4100 RoHS 状态: 支持

基础信息

零件编号:
G18NP06Y
封装:
-
包装:
Tape & Reel (TR)
描述:
MOSFET N/P-CH 60V 18A TO252-4

产品参数

零件状态 Active
安装类型 Surface Mount
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管特性 -
等级 -
认证 -
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C 18A (Tc)
漏极至源极电压 (Vdss) 60V
封装 / 外壳 TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab)
配置 N and P-Channel, Common Drain
供应商器件封装 TO-252-4
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 22nC @ 10V, 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流 2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压 35mOhm @ 12A, 10V, 45mOhm @ 12A, 10V
最大功率 45W (Tc), 50W (Tc)
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 1446pF @ 30V, 2696pF @ 30V