GE17080CDA3

MOSFET 2N-CH 1700V 765A MODULE

制造商: GE Aerospace 产品分类: 场效应晶体管,MOSFET 阵列 数量: 1605 RoHS 状态: 支持

基础信息

零件编号:
GE17080CDA3
封装:
-
包装:
Bulk
描述:
MOSFET 2N-CH 1700V 765A MODULE

产品参数

零件状态 Active
安装类型 Chassis Mount
场效应晶体管特性 -
工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
认证 AEC-Q101
封装 / 外壳 Module
供应商器件封装 Module
配置 2 N-Channel (Half Bridge)
技术 Silicon Carbide (SiC)
漏极至源极电压 (Vdss) 1700V (1.7kV)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流 4.5V @ 160mA
连续漏极电流 (Id) @ 25°C 765A
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压 2.23mOhm @ 765A, 20V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 2414nC @ 18V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 58000pF @ 900V
最大功率 2350W