GSFQ1916
MOSFET, N+P, DUAL, 3 -2.2A, 100
基础信息
- 零件编号：
- GSFQ1916
- 封装：
- -
- 包装：
- Cut Tape (CT)
- 描述：
- MOSFET, N+P, DUAL, 3 -2.2A, 100
产品参数
| 零件状态 | Active |
|---|---|
| 安装类型 | Surface Mount |
| 封装 / 外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 场效应晶体管特性 | - |
| 等级 | - |
| 认证 | - |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 配置 | N and P-Channel |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
| 漏极至源极电压 (Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流 (Id) @ 25°C | 3A (Tc), 2.2A (Tc) |
| 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 | 160mOhm @ 2A, 10V, 180mOhm @ 2A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 | 2.9V @ 250µA, 2.7V @ 250µA |
| 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs | 13.4nC @ 10V, 20nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds | 821pF @ 50V, 1280pF @ 50V |
| 最大功率 | 2.3W (Tc) |