HP8KE5TB1

100V 8.5A, DUAL NCH+NCH, HSOP8,

制造商: ROHM Semiconductor 产品分类: 场效应晶体管,MOSFET 阵列 数量: 4100 RoHS 状态: 支持

基础信息

零件编号:
HP8KE5TB1
封装:
-
包装:
Cut Tape (CT)
描述:
100V 8.5A, DUAL NCH+NCH, HSOP8,

产品参数

零件状态 Active
安装类型 Surface Mount
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管特性 -
等级 -
认证 -
工作温度 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流 2.5V @ 1mA
配置 2 N-Channel (Dual)
供应商器件封装 8-HSOP
漏极至源极电压 (Vdss) 100V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 2.9nC @ 10V
封装 / 外壳 8-PowerTDFN
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 90pF @ 50V
最大功率 3W (Ta), 20W (Tc)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C 3A (Ta), 8.5A (Tc)
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压 193mOhm @ 3A, 10V