HT8KE5HTB1

100V 6.5A, DUAL NCH+NCH, HSMT8,

制造商: ROHM Semiconductor 产品分类: 场效应晶体管,MOSFET 阵列 数量: 4600 RoHS 状态: 支持

基础信息

零件编号:
HT8KE5HTB1
封装:
-
包装:
Cut Tape (CT)
描述:
100V 6.5A, DUAL NCH+NCH, HSMT8,

产品参数

零件状态 Active
安装类型 Surface Mount
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管特性 -
等级 -
认证 -
工作温度 150°C (TJ)
配置 2 N-Channel (Dual)
供应商器件封装 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流 4V @ 1mA
漏极至源极电压 (Vdss) 100V
封装 / 外壳 8-PowerTDFN
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 3.7nC @ 10V
最大功率 2W (Ta), 13W (Tc)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C 2.5A (Ta), 6.5A (Tc)
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压 210mOhm @ 2.5A, 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 105pF @ 50V