HT8KF6HTB1

150V 7.0A, DUAL NCH+NCH, HSMT8,

制造商: ROHM Semiconductor 产品分类: 场效应晶体管,MOSFET 阵列 数量: 4600 RoHS 状态: 支持

基础信息

零件编号:
HT8KF6HTB1
封装:
-
包装:
Cut Tape (CT)
描述:
150V 7.0A, DUAL NCH+NCH, HSMT8,

产品参数

零件状态 Active
安装类型 Surface Mount
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管特性 -
等级 -
认证 -
工作温度 150°C (TJ)
配置 2 N-Channel (Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流 4V @ 1mA
封装 / 外壳 8-PowerVDFN
漏极至源极电压 (Vdss) 150V
供应商器件封装 8-HSMT (3.2x3)
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 6.4nC @ 10V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C 2.5A (Ta), 7A (Tc)
最大功率 2W (Ta), 14W (Tc)
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压 214mOhm @ 2.5A, 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 315pF @ 75V