ICPB1020-1-110I

DC-14 GHZ 100W DISCRETE GAN HEMT

制造商: Microchip Technology 产品分类: 射频场效应晶体管,金属氧化物半导体场效应晶体管 数量: 1600 RoHS 状态: 支持

基础信息

零件编号:
ICPB1020-1-110I
封装:
-
包装:
Box
描述:
DC-14 GHZ 100W DISCRETE GAN HEMT

产品参数

零件状态 Active
安装类型 Surface Mount
配置 -
额定电流(安培) 8A
噪声系数 -
封装 / 外壳 Die
供应商器件封装 Die
额定电压 28 V
电压 - 测试 28 V
电流 - 测试 1 A
功率 - 输出 100W
增益 7.4dB
技术 GaN HEMT
频率 14GHz