IGN1011L70
RF MOSFET GAN HEMT 50V PL32A2
基础信息
- 零件编号：
- IGN1011L70
- 封装：
- -
- 包装：
- Bulk
- 描述：
- RF MOSFET GAN HEMT 50V PL32A2
产品参数
| 零件状态 | Active |
|---|---|
| 安装类型 | Chassis Mount |
| 额定电流（安培） | - |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 22dB |
| 电压 - 测试 | 50 V |
| 频率 | 1.03GHz ~ 1.09GHz |
| 功率 - 输出 | 80W |
| 额定电压 | 120 V |
| 技术 | GaN HEMT |
| 电流 - 测试 | 22 mA |
| 封装 / 外壳 | PL32A2 |
| 供应商器件封装 | PL32A2 |