IMSQ120R040M2HHXUMA1
SIC DISCRETE
基础信息
- 零件编号：
- IMSQ120R040M2HHXUMA1
- 封装：
- -
- 包装：
- Cut Tape (CT)
- 描述：
- SIC DISCRETE
产品参数
| 零件状态 | Active |
|---|---|
| 安装类型 | Surface Mount |
| 场效应晶体管特性 | - |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 等级 | - |
| 认证 | - |
| 连续漏极电流 (Id) @ 25°C | 57A (Tc) |
| 配置 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| 技术 | Silicon Carbide (SiC) |
| 漏极至源极电压 (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 | 5.1V @ 5.5mA |
| 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 | 40mOhm @ 18A, 18V |
| 最大功率 | 290W (Tc) |