ISG0616N10NM5HSCATMA1
MOSFET 2N-CH 100V 19A 10WHITFN
基础信息
- 零件编号：
- ISG0616N10NM5HSCATMA1
- 封装：
- -
- 包装：
- Cut Tape (CT)
- 描述：
- MOSFET 2N-CH 100V 19A 10WHITFN
产品参数
| 零件状态 | Active |
|---|---|
| 安装类型 | Surface Mount |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 场效应晶体管特性 | - |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 等级 | - |
| 认证 | - |
| 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs | 78nC @ 10V |
| 漏极至源极电压 (Vdss) | 100V |
| 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 | 4mOhm @ 50A, 10V |
| 配置 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 | 3.8V @ 85µA |
| 最大功率 | 3W (Ta), 167W (Tc) |
| 连续漏极电流 (Id) @ 25°C | 19A (Ta), 139A (Tc) |
| 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds | 4800pF @ 50V |
| 封装 / 外壳 | 10-PowerWDFN |
| 供应商器件封装 | PG-WHITFN-10-1 |