MHTG1200HSR3

RF MOSFET GAN NI780

制造商: NXP USA Inc. 产品分类: 射频场效应晶体管,金属氧化物半导体场效应晶体管 数量: 1600 RoHS 状态: 支持

基础信息

零件编号:
MHTG1200HSR3
封装:
-
包装:
Tape & Reel (TR)
描述:
RF MOSFET GAN NI780

产品参数

零件状态 Obsolete
额定电压 50 V
安装类型 Surface Mount
额定电流(安培) -
增益 -
噪声系数 -
频率 2.4GHz ~ 2.5GHz
功率 - 输出 300W
封装 / 外壳 NI-780S-4L
供应商器件封装 NI-780S-4L
技术 GaN
配置 2 N-Channel