MMRF1314H-1200

RF MOSFET LDMOS 52V NI1230

制造商: NXP USA Inc. 产品分类: 射频场效应晶体管,金属氧化物半导体场效应晶体管 数量: 1600 RoHS 状态: 支持

基础信息

零件编号:
MMRF1314H-1200
封装:
-
包装:
Bulk
描述:
RF MOSFET LDMOS 52V NI1230

产品参数

零件状态 Active
安装类型 Chassis Mount
噪声系数 -
增益 17.7dB
电流 - 测试 100 mA
频率 1.2GHz ~ 1.4GHz
额定电流(安培) 10µA
封装 / 外壳 SOT-979A
功率 - 输出 1000W
供应商器件封装 NI-1230-4H
额定电压 105 V
技术 LDMOS (Dual)
配置 2 N-Channel
电压 - 测试 52 V