MRFE6VP5600HSR5

RF MOSFET LDMOS 50V NI1230

制造商: NXP USA Inc. 产品分类: 射频场效应晶体管,金属氧化物半导体场效应晶体管 数量: 3079 RoHS 状态: 支持

基础信息

零件编号:
MRFE6VP5600HSR5
封装:
-
包装:
Bulk
描述:
RF MOSFET LDMOS 50V NI1230

产品参数

零件状态 Active
安装类型 Chassis Mount
额定电流(安培) -
噪声系数 -
增益 25dB
电压 - 测试 50 V
电流 - 测试 100 mA
额定电压 130 V
功率 - 输出 600W
封装 / 外壳 NI-1230-4S
供应商器件封装 NI-1230-4S
频率 1.8MHz ~ 600MHz
技术 LDMOS (Dual)
配置 2 N-Channel