MWT-LN600

RF MOSFET PHEMT FET 3V DIE

制造商: CML Micro 产品分类: 射频场效应晶体管,金属氧化物半导体场效应晶体管 数量: 2440 RoHS 状态: 支持

基础信息

零件编号:
MWT-LN600
封装:
-
包装:
Case
描述:
RF MOSFET PHEMT FET 3V DIE

产品参数

零件状态 Active
额定电流(安培) -
额定电压 5.5 V
增益 12dB
封装 / 外壳 Die
供应商器件封装 Die
功率 - 输出 20dBm
技术 pHEMT FET
噪声系数 0.5dB
电压 - 测试 3 V
电流 - 测试 100 mA
频率 26GHz