NE3515S02-T1C-A

RF MOSFET HFET 2V 4MICROX

制造商: CEL 产品分类: 射频场效应晶体管,金属氧化物半导体场效应晶体管 数量: 25600 RoHS 状态: 支持

基础信息

零件编号:
NE3515S02-T1C-A
封装:
-
包装:
Tape & Reel (TR)
描述:
RF MOSFET HFET 2V 4MICROX

产品参数

零件状态 Obsolete
安装类型 Surface Mount
额定电压 4 V
电流 - 测试 10 mA
功率 - 输出 -
电压 - 测试 2 V
增益 12.5dB
频率 12GHz
封装 / 外壳 4-Micro-X
供应商器件封装 4-Micro-X
噪声系数 0.3dB
额定电流(安培) 88mA
技术 HFET