NFAM4512SCBUT

SIC

制造商: onsemi 产品分类: 场效应晶体管,MOSFET 阵列 数量: 1600 RoHS 状态: 支持

基础信息

零件编号:
NFAM4512SCBUT
封装:
-
包装:
Tube
描述:
SIC

产品参数

零件状态 Obsolete
安装类型 Through Hole
工作温度 -
场效应晶体管特性 -
等级 -
认证 -
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流 -
最大功率 -
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs -
连续漏极电流 (Id) @ 25°C -
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds -
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压 -
技术 Silicon Carbide (SiC)
漏极至源极电压 (Vdss) 1200V (1.2kV)
封装 / 外壳 39-PowerDIP Module (1.413", 35.90mm), 30 Leads
配置 6 N-Channel (Three Phase Inverter)
供应商器件封装 39-MINI DIP