基础信息
- 零件编号：
- NTMFD001N03P9
- 封装：
- -
- 包装：
- Cut Tape (CT)
- 描述：
- MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
产品参数
| 零件状态 | Active |
|---|---|
| 安装类型 | Surface Mount |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 场效应晶体管特性 | - |
| 等级 | - |
| 认证 | - |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 | 3V @ 1mA |
| 漏极至源极电压 (Vdss) | 30V |
| 配置 | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| 封装 / 外壳 | 8-PowerWDFN |
| 供应商器件封装 | 8-PQFN (5x6) |
| 连续漏极电流 (Id) @ 25°C | 11A (Ta), 57A (Tc), 25A (Ta), 165A (Tc) |
| 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 | 5mOhm @ 17A, 10V, 1mOhm @ 40A, 10V |
| 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs | 7.9nC @ 4.5V, 43nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds | 1224pF @ 15V, 6575pF @ 15V |
| 最大功率 | 960mW (Ta), 25W (Tc), 1.04W (Ta), 41W (Tc) |