NTTFD1D8N02P1E
MOSFET, POWER, 25V DUAL N-CHANNE
基础信息
- 零件编号：
- NTTFD1D8N02P1E
- 封装：
- -
- 包装：
- Bulk
- 描述：
- MOSFET, POWER, 25V DUAL N-CHANNE
产品参数
| 零件状态 | Active |
|---|---|
| 安装类型 | Surface Mount |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 场效应晶体管特性 | - |
| 等级 | - |
| 认证 | - |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 漏极至源极电压 (Vdss) | 25V |
| 配置 | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| 封装 / 外壳 | 8-PowerWDFN |
| 供应商器件封装 | 8-PQFN (3.3x3.3) |
| 最大功率 | 800mW (Ta), 900mW (Ta) |
| 连续漏极电流 (Id) @ 25°C | 11A (Ta), 21A (Ta) |
| 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 | 4.2mOhm @ 15A, 10V, 1.4mOhm @ 29A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 | 2V @ 190µA, 2V @ 310µA |
| 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs | 5.5nC @ 4.5V, 17nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds | 873pF @ 15V, 2700pF @ 15V |