NVVR26A120M1WSS

MOSFET 2N-CH 1200V AHPM15-CDI

制造商: onsemi 产品分类: 场效应晶体管,MOSFET 阵列 数量: 1614 RoHS 状态: 支持

基础信息

零件编号:
NVVR26A120M1WSS
封装:
-
包装:
Tube
描述:
MOSFET 2N-CH 1200V AHPM15-CDI

产品参数

安装类型 Through Hole
零件状态 Active
场效应晶体管特性 -
等级 Automotive
认证 AEC-Q101
工作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
配置 2 N-Channel (Half Bridge)
技术 Silicon Carbide (SiC)
漏极至源极电压 (Vdss) 1200V (1.2kV)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C 400A (Tj)
封装 / 外壳 15-PowerDIP Module (2.441", 62.00mm)
最大功率 1kW (Tj)
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压 2.6mOhm @ 400A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流 3.2V @ 150mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 1.75µC @ 20V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 31700pF @ 800V
供应商器件封装 AHPM15-CDI