NXV08A170DB2
MOSFET 2N-CH 80V 200A APM12-CBA
基础信息
- 零件编号：
- NXV08A170DB2
- 封装：
- -
- 包装：
- Tray
- 描述：
- MOSFET 2N-CH 80V 200A APM12-CBA
产品参数
| 安装类型 | Through Hole |
|---|---|
| 零件状态 | Active |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 | 4V @ 250µA |
| 场效应晶体管特性 | - |
| 等级 | Automotive |
| 认证 | AEC-Q100 |
| 最大功率 | - |
| 工作温度 | 175°C (TJ) |
| 漏极至源极电压 (Vdss) | 80V |
| 配置 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| 连续漏极电流 (Id) @ 25°C | 200A (Tj) |
| 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 | 0.99mOhm @ 80A, 10V, 1.35mOhm @ 80A, 10V |
| 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs | 195nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds | 14000pF @ 40V |
| 封装 / 外壳 | 12-PowerDIP Module (1.118", 28.40mm) |
| 供应商器件封装 | APM12-CBA |