NXV08H400XT2

MOSFET 4N-CH 80V APM17-MDA

制造商: onsemi 产品分类: 场效应晶体管,MOSFET 阵列 数量: 1600 RoHS 状态: 支持

基础信息

零件编号:
NXV08H400XT2
封装:
-
包装:
Tube
描述:
MOSFET 4N-CH 80V APM17-MDA

产品参数

安装类型 Through Hole
零件状态 Active
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管特性 -
等级 Automotive
认证 AEC-Q101
最大功率 -
连续漏极电流 (Id) @ 25°C -
工作温度 175°C (TJ)
漏极至源极电压 (Vdss) 80V
配置 4 N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流 4.6V @ 1mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 502nC @ 12V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 30150pF @ 40V
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压 0.765mOhm @ 160A, 12V, 0.710mOhm @ 160A, 12V
封装 / 外壳 17-PowerDIP Module (1.778", 45.15mm)
供应商器件封装 APM17-MDA