NXV10V160ST1

MOSFET 6N-CH 100V APM21-CGA

制造商: onsemi 产品分类: 场效应晶体管,MOSFET 阵列 数量: 1644 RoHS 状态: 支持

基础信息

零件编号:
NXV10V160ST1
封装:
-
包装:
Tube
描述:
MOSFET 6N-CH 100V APM21-CGA

产品参数

安装类型 Through Hole
零件状态 Active
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管特性 -
等级 -
认证 -
最大功率 -
连续漏极电流 (Id) @ 25°C -
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流 4.5V @ 250µA
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压 -
工作温度 175°C (TJ)
漏极至源极电压 (Vdss) 100V
配置 6 N-Channel
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 101nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 6970pF @ 50V
封装 / 外壳 21-PowerDIP Module (1.370", 34.80mm)
供应商器件封装 APM21-CGA