SGT65R65AL

RF MOSFET GAN HEMT 400V PWRFLAT

制造商: STMicroelectronics 产品分类: 射频场效应晶体管,金属氧化物半导体场效应晶体管 数量: 1600 RoHS 状态: 支持

基础信息

零件编号:
SGT65R65AL
封装:
-
包装:
Cut Tape (CT)
描述:
RF MOSFET GAN HEMT 400V PWRFLAT

产品参数

零件状态 Active
安装类型 Surface Mount
频率 -
额定电流(安培) 25A
增益 -
噪声系数 -
配置 N-Channel
封装 / 外壳 8-PowerVDFN
功率 - 输出 5W
电压 - 测试 400 V
技术 GaN HEMT
供应商器件封装 PowerFlat™ (5x6) HV
额定电压 650 V