SSM6P56FE,LM

MOSFET 2P-CH 20V 0.8A ES6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 产品分类: 场效应晶体管,MOSFET 阵列 数量: 1600 RoHS 状态: 支持

基础信息

零件编号:
SSM6P56FE,LM
封装:
-
包装:
Tape & Reel (TR)
描述:
MOSFET 2P-CH 20V 0.8A ES6

产品参数

零件状态 Active
安装类型 Surface Mount
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管特性 -
等级 -
认证 -
连续漏极电流 (Id) @ 25°C 800mA (Ta)
工作温度 150°C
漏极至源极电压 (Vdss) 20V
配置 2 P-Channel (Dual)
最大功率 150mW
封装 / 外壳 SOT-563, SOT-666
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 1.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流 1V @ 1mA
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 100pF @ 10V
供应商器件封装 ES6
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压 390mOhm @ 800mA, 4.5V