VTM606C700LSA
60 V Complementary N MOSFET, RDS
基础信息
- 零件编号：
- VTM606C700LSA
- 封装：
- -
- 包装：
- Tape & Reel (TR)
- 描述：
- 60 V Complementary N MOSFET, RDS
产品参数
| 零件状态 | Active |
|---|---|
| 安装类型 | Surface Mount |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 等级 | Automotive |
| 认证 | AEC-Q101 |
| Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 | 2.5V @ 250µA |
| 漏极至源极电压 (Vdss) | 60V |
| 配置 | N and P-Channel Complementary |
| 封装 / 外壳 | 8-PowerTDFN |
| 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs | 19nC @ 10V |
| 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 | 30mOhm @ 15A, 10V |
| 场效应晶体管特性 | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| 供应商器件封装 | DFN5060 Dual |
| 连续漏极电流 (Id) @ 25°C | 15A, 10A |
| 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds | 1141pF @ 30V |
| 最大功率 | 15.6W (Tc) |