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齐纳二极管专为反向击穿工作模式而设计，并以其在此工作状态下的特性加以表征。它们可用作电压基准或用于电压箝位，同时也能够像整流二极管一样实现单向导通，尽管其在该模式下的性能通常不及专门为此目的设计的器件。该系列产品的每个封装仅实现这一功能的一个实例。
单稳压二极管
齐纳二极管阵列
1N2986RBE3
1N2986RBE3
BZT52C33
BZT52C33
BZT52B5V6
BZT52B5V6
MM1Z2V2B
MM1Z2V2B
BZT52B11
BZT52B11
BZT52C6V2
BZT52C6V2
BZT52B30
BZT52B30
BZT52C6V8S
BZT52C6V8S
BZT52B6V2S
BZT52B6V2S
BZT52C6V2S
BZT52C6V2S
BZT52C36
BZT52C36
BZT52B4V3S
BZT52B4V3S

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