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齐纳二极管专为反向击穿工作模式而设计，并以其在此工作状态下的特性加以表征。它们可用作电压基准或用于电压箝位，同时也能够像整流二极管一样实现单向导通，尽管其在该模式下的性能通常不及专门为此目的设计的器件。该系列产品的每个封装仅实现这一功能的一个实例。

单稳压二极管

齐纳二极管阵列

BZX384C8V2-HE3_A18

GDZ20B-HE3_A18

BZX384C22-HE3_A18

GDZ2V0B-HE3_A08

GDZ2V0B-HG3_A18

BZX384C4V7-HE3_A18

BZX384B33-HE3_A18

BZX384C6V8-HE3_A18

GDZ15B-HE3_A08

GDZ4V3B-HE3_A08

BZX384C9V1-HE3_A08

GDZ24B-HE3_A08

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