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场效应晶体管（FET）是一种利用电场控制电流流动的电子器件。向栅极施加电压即可改变漏极与源极之间的导电特性。由于其工作原理仅涉及单一载流子类型，FET亦称作单极性晶体管，即在工作过程中仅以电子或空穴作为载流子，而不会同时使用两者。通常情况下，场效应晶体管在低频段具有极高的输入阻抗。
单管场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管
射频场效应晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管
场效应晶体管，MOSFET 阵列
DMTH6010LPDW-13
DMTH6010LPDW-13
DMC3732UVT-7
DMC3732UVT-7
DMP4013SPSWQ-13
DMP4013SPSWQ-13
DMC3732UVTQ-7
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DMN62D2UVTQ-13
DMN62D2UVTQ-13
DMN62D2UVT-13
DMN62D2UVT-13
DMN62D2UDMQ-7
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DMPH6050SPDWQ-13
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DMN63D1LVQ-13
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DMN38M1SCA10-7
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DMC3732UVT-13
DMC3732UVT-13
DMT10H072LDV-13
DMT10H072LDV-13

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