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齐纳二极管专为反向击穿工作模式而设计，并以其在此工作状态下的特性加以表征。它们可用作电压基准或用于电压箝位，同时也能够像整流二极管一样实现单向导通，尽管其在该模式下的性能通常不及专门为此目的设计的器件。该系列产品的每个封装仅实现这一功能的一个实例。
单稳压二极管
齐纳二极管阵列
BZX84B5V1
BZX84B5V1
MM3Z75G
MM3Z75G
BZX84WC39VDCKRQ1
BZX84WC39VDCKRQ1
BZX84C39VDBZRQ1
BZX84C39VDBZRQ1
BZX84WC39VDCKR
BZX84WC39VDCKR
MNS1N4971US
MNS1N4971US
MNS1N4619UR-1
MNS1N4619UR-1
MNS1N6311US
MNS1N6311US
MNS1N5531BUR-1
MNS1N5531BUR-1
MM5Z24
MM5Z24
BZT52B9V1
BZT52B9V1
ZMM2V4
ZMM2V4

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