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齐纳二极管专为反向击穿工作模式而设计，并以其在此工作状态下的特性加以表征。它们可用作电压基准或用于电压箝位，同时也能够像整流二极管一样实现单向导通，尽管其在该模式下的性能通常不及专门为此目的设计的器件。该系列产品的每个封装仅实现这一功能的一个实例。
单稳压二极管
齐纳二极管阵列
BZX84C2V4H RFG
BZX84C2V4H RFG
BZX585B6V2H RSG
BZX585B6V2H RSG
MMSZ5227BH RHG
MMSZ5227BH RHG
BZX84JB7V5H RRG
BZX84JB7V5H RRG
BZX84C3V3H RFG
BZX84C3V3H RFG
MMSZ5263BH RHG
MMSZ5263BH RHG
BZT52B2V4SH RRG
BZT52B2V4SH RRG
BZX84JB47H RRG
BZX84JB47H RRG
BZX84C3V9H RFG
BZX84C3V9H RFG
BZX84C12H RFG
BZX84C12H RFG
BZX84C15H RFG
BZX84C15H RFG
BZT52B27SH RRG
BZT52B27SH RRG

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