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齐纳二极管专为反向击穿工作模式而设计，并以其在此工作状态下的特性加以表征。它们可用作电压基准或用于电压箝位，同时也能够像整流二极管一样实现单向导通，尽管其在该模式下的性能通常不及专门为此目的设计的器件。该系列产品的每个封装仅实现这一功能的一个实例。
单稳压二极管
齐纳二极管阵列
BZX84JB6V8H RRG
BZX84JB6V8H RRG
BZX84C30H RFG
BZX84C30H RFG
MMSZ5258BH RHG
MMSZ5258BH RHG
MMSZ5226BH RHG
MMSZ5226BH RHG
BZT52B33SH RRG
BZT52B33SH RRG
MMSZ5240BH RHG
MMSZ5240BH RHG
BZX84C5V1H RFG
BZX84C5V1H RFG
MMSZ5242BH RHG
MMSZ5242BH RHG
BZX84C4V3H RFG
BZX84C4V3H RFG
BZX84JB68H RRG
BZX84JB68H RRG
BZX84JB62H RRG
BZX84JB62H RRG
BZT52B5V6SH RRG
BZT52B5V6SH RRG

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