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场效应晶体管（FET）是一种利用电场控制电流流动的电子器件。向栅极施加电压即可改变漏极与源极之间的导电特性。由于其工作原理仅涉及单一载流子类型，FET亦称作单极性晶体管，即在工作过程中仅以电子或空穴作为载流子，而不会同时使用两者。通常情况下，场效应晶体管在低频段具有极高的输入阻抗。
单管场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管
射频场效应晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管
场效应晶体管，MOSFET 阵列
NVMFWD027N10MCLT1G
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ADP46075W3
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AMD560C
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NTMFD001N03P9
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NXH011F120M3F2PTHG
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NTMFD5C478NLT1G
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NXH004P120M3F2PNG
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NXH006P120M3F2PTHG
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NXH007F120M3F2PTHG
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AOCA33102E
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AONG36322
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AOCR33105E
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